
By Dr. H. Salow, Prof. Dr. H. Beneking, Dr. H. Krömer, Dr. W. v. Münch (auth.)
Read Online or Download Der Transistor: Physikalische und technische Grundlagen PDF
Similar german_4 books
Das Buch versteht sich als eine einfache Einf? hrung in die grundlegenden algorithmischen Konzepte der Informatik. Die Konzepte werden in ihrer historischen Entwicklung und gr? ?eren Zusammenh? ngen dargestellt, um so die eigentliche Faszination der Informatik, die viel kontraintuitive ? berraschungen bereith?
Auch im Bereich Materialfluss und Logistik beschleunigt sich die Automatisie-rung bisher manueller Vorgänge, und die Bearbeitungsgeschwindigkeit nimmt durch die informationstechnische Verknüpfung aller Tätigkeiten in Produktion, Fertigung und Dienstleistung zu. Die Informationslogistik und die zugehöri-gen Basiselemente der Datenerfassung gewinnen dadurch an Bedeutung.
Als ich im September 1942 das Vorwort fUr den ersten Band des "Grund- und Wasserb3, u in praktischen Beispieleh" schrieb, struggle das Manuskript zum zweiten Band bereits druckreif. So faBte ich in diesem Vorwort meine Gedanken fUr beide Bande zusammen in der Roffnung, daB auch der zweite Band bald nach dem ersten erscheinen wtirde.
- Ein Beitrag zum Problem der Spannungskorrosion bei Preßprofilen und Preßteilen aus Aluminium-Legierungen: aus der Entwicklungsabteilung der Otto Fuchs KG., Metallwerke, Meinerzhagen
- Das Lesen technischer Zeichnungen
- Digitale Meßtechnik: Eine Einführung
- Der elektrische Durchschlag von Gasen
- Die Messung des technischen Fortschritts im Rahmen des gesamtwirtschaftlichen Wachstumsprozesses
Additional info for Der Transistor: Physikalische und technische Grundlagen
Sample text
Die Phasengeschwindigkeit der Diffusionswellen betragt Vp = W AwFur niedrige Frequenzen, wenn W T <{ 1 ist, laBt sich die Wurzel in Gl. (72) entwickeln und man erhiilt 2Lo 2D =-. , Lo (74) Vp=-~ Das ist bis auf den Faktor 2 die mittlere Geschwindigkeit, mit der die injizierten Ladungstrager im Gleichstromfalle das exponentielle Diffusionsgefalle von Gl. (63) und (65a, b) hinabstromen. Bei hoheren Frequenzen wird durch die dichter aufeinanderfolgenden Wellenberge und die hahere Dampfung das Diffusionsgefalle steiler, also steigt die Geschwindigkeit an, und aus (72) ergibt sich flir W T ~ 1: (75a) Die Geschwindigkeit wird hier also unabhangig von T, aber sie wird frequenzabhangig, d.
S. 72 1m Gegensatz zu den inneren Startermen liegen die Oberflachenterme jedoch nicht bei einem einze1nen scharfen Energiewert, sondern spalten irifolge ihrer hohen Dichte zu einem mehr oder weniger breiten Band auf; aus denselben Grtinden, aus denen die diskreten Terme eines Einzelatoms zu Bandern aufspalten, wenn man viele Einzelatome dicht benachbart zu einem Kristall zusammenfiigt (Kap. 1). Wir wollen im folgenden zur Vereinfachung annehmen, die Oberflachenterme seien gleichmaSig tiber das gesamte verbotene Band verteilt, obwohl das wahrscheinlich zu weit geht.
Legt man eine negative Spannung an den Dbergang an, so werden dadurch beide Arten von Minderheitstragern aus der Randschicht herausgezogen und p (In) und n (-tp) sinken abo Wiirden keinerlei Locher von der n-Seite und keinerlei Elektronen von der p-Seite nachgeliefert, so wiirde sich in der Randschicht schliefilich die Elektronendichte gemafi der FERMI-Statistik, aber mit der fERMI-Kante der n-Seite als Bezugsenergie einstellen, wahrend sich die Locher nach der FERMI-Kante der p-Seite richten wiirden.